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耐冲击晶片电阻 - PWR 系列

耐冲击晶片电阻 - PWR 系列

降额曲线图
耐冲击晶片电阻 耐冲击晶片电阻

电气特性测试
项目 规格 测试方法
短时间过负荷 ±0.5% JIS-C-5202-5.5
RCWV*2.5 或最大过负荷电压 5 秒钟
热冲击 ±0.5% MIL-STD-202F Method 107G
-55°C~125°C, 100 次循环
温度系数 As Spec. MIL-STD-202F Method 304
+25/-55/+25/+125/+25°C
负载寿命 ±1% MIL-STD-202F Method 108A
RCWV, 70°C, 1.5 小时开, 0.5 小时关, 共 1000~1048 小时
耐湿性
(稳定状况下)
±0.5% MIL-STD-202F Method 103B
40°C, 90~95%RH, RCWV 1.5 小时开, 0.5小时关,
共 1000~1048 小时
耐干热性 ±0.5% JIS-C-5202-7.2
96 小时 @ +155°C 无负载
低温测试 ±0.5% JIS-C-5202-7.1
RCWV, -65°C, 1 小时, 其次 45分钟
抗弯曲度 As Spec. JIS-C-5202-6.1.4
弯曲振幅3毫米10秒
抗焊温度 ±0.5% MIL-STD-202F Method 210E
260±5°C, 10±1 秒钟
可焊性 覆盖面最少95% MIL-STD-202F Method 208H
245°C±5°C, 3±0.5(sec)
耐电压 As Spec. MIL-STD-202F Method 301
允许最大负载电压1 分钟
绝缘电抗 >1000MΩ MIL-STD-202F Method 302
允许 100VDC 1 分钟
  • 储存温度:25±3°C;湿度:<80%RH

雷击突波
耐冲击晶片电阻 耐冲击晶片电阻
贴片耐冲击电阻
  • 电阻测试,符合IEC 60 115-1使用1.2/50us和10/700pulse.shapes,接受的限制是从最初值转变性不到1 %。

料号说明
PWR10DTRC1Q8202 
12345678
1 型号
2 尺寸 (L×W) (单位:mm)
编码尺寸 (L×W) (单位:mm)EIA
052.00×1.25mm0805
063.05×1.55mm1206
105.00×2.45mm2010
126.30×3.10mm2512
3 公差精度
编码公差精度
D ±0.5%
F ±1%
G ±2%
H ±3%
J ±5%
4 包装方式
编码包装方式
TR编带卷装
P散装
5 温度系数
编码温度系数
C1±100ppm/°C
C±200ppm/°C
6 额定功率
编码额定功率
A 1.5W
O 1/3W
Q 3/4W
T 1W
U 1/2W
V 1/4W
W 1/8W
7 阻值
编码阻值
1000100Ω
22012200Ω
100210000Ω
820282000Ω
1003100000Ω
8 标示
编码标示
 标准标示为E96/E24
N无标示

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